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ADM30P10Q

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● Reliable and Rugged ● 100% EAS Guaranteed

文件:863.04 Kbytes 页数:6 Pages

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爱德微

ADM30P10Q

MOSFET

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爱德微

AP30P10GH-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:101.67 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP30P10GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:157.56 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP30P10GP-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:99.79 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    P

  • ID(25℃):

    -30

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=10V:

    32

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=4.5V:

    36

  • VGS:

    ±20

  • VGS(th):

    -2.5

  • Package:

    PDFN5*6

  • Qg (nC):

    69

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更多ADM30P10Q供应商 更新时间2025-10-14 9:30:00