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ADM170N04	文件：807.9 Kbytes Page：6 Pages	Marking：ADM170N04；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
ADM170N04G	文件：807.83 Kbytes Page：6 Pages	Marking：ADM170N04G；Package：TO-263-2；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV

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ADM170N04

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Marking：ADM170N04；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct

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ADM170N04G

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Marking：ADM170N04G；Package：TO-263-2；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc

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更多ADM170N04供应商更新时间2025-5-25 10:59:00

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