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ADM50N06	文件：952.54 Kbytes Page：6 Pages	Marking：ADM50N06；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM50N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV

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ADM50N06

文件：952.54 Kbytes

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Marking：ADM50N06；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM50N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with

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更多ADM50N06供应商更新时间2025-5-22 16:50:00

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