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BF620	文件：1.49984 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcurrent(max.50mA) Highvoltage(max.300V). Videooutputstages.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BF620	文件：194.71 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V). •Videooutputstages.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BF620	文件：1.19505 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowcurrent(max.50mA) ●Highvoltage(max.300V). ●Videooutputstages.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BF620	文件：125.6 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:50mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:300V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BF620	文件：320.82 Kbytes Page：11 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFP620	文件：209.97 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor •HighlylinearlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •BasedonInfineonsreliablehighvolume SiliconGermaniumtechnology •IdealforCDMAandWLANapplications •Collectordesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP620	文件：350.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BFP620	文件：641.59 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP620	文件：665.57 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP620F	文件：158.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor* •HighgainlownoiseRFtransistor •Smallpackage1.4x0.8x0.59mm •OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz •Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz •Goldmetal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
ADG620BRT
功能描述：
IC SWITCH SPDT SOT23-8
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
-
标准包装：
48
功能：
开关
电路：
4 x SPST - NO
导通状态电阻：
100 欧姆
电压电源：
单/双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
2 V ~ 12 V，±2 V ~ 6 V 电流 -
电源：
50nA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
管件

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更多ADG620BRT供应商更新时间2025-7-26 8:02:00

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