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AOB436L	文件：132.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB436usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB436isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOB4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD436	文件：117.13 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD436usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD436isPb-free(meetsROHS&Sony259specifica	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD436	文件：318.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD436L	文件：117.13 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD436usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD436isPb-free(meetsROHS&Sony259specifica	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU436	文件：71.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU436usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAOU436isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU436LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU436	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU436	文件：353.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=57A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AP436	文件：164.33 Kbytes Page：6 Pages	SynchronousRectifierMOSFETDriver GeneralDescriptions TheAP436isahigh-speedcontrollerdesignedtodriveN-channelpowerMOSFETusedassynchronousrectifiersinhighcurrent,highfrequencyfly-backconverters.Thecircuitdoesnotrequireanytiestotheprimarysideandderivesitsoperatingpowerdirectlyfromthesecond	ANACHIPAnachip Corp 易亨电子易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AP436S	文件：164.33 Kbytes Page：6 Pages	SynchronousRectifierMOSFETDriver GeneralDescriptions TheAP436isahigh-speedcontrollerdesignedtodriveN-channelpowerMOSFETusedassynchronousrectifiersinhighcurrent,highfrequencyfly-backconverters.Thecircuitdoesnotrequireanytiestotheprimarysideandderivesitsoperatingpowerdirectlyfromthesecond	ANACHIPAnachip Corp 易亨电子易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AP436SA	文件：164.33 Kbytes Page：6 Pages	SynchronousRectifierMOSFETDriver GeneralDescriptions TheAP436isahigh-speedcontrollerdesignedtodriveN-channelpowerMOSFETusedassynchronousrectifiersinhighcurrent,highfrequencyfly-backconverters.Thecircuitdoesnotrequireanytiestotheprimarysideandderivesitsoperatingpowerdirectlyfromthesecond	ANACHIPAnachip Corp 易亨电子易亨电子股份有限公司	ANACHIP

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