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ADE4D20120G	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	1200-V Direct WBG Diode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
C4D20120A	文件：662.99 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120A	文件：1.2441 Mbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：884.55 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2-KVoltSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLosses •HigherEfficienc	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：772.11 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120D	文件：482.43 Kbytes Page：2 Pages	CREESiliconCarbideMOSFETEvaluationKit Description: ThisEvaluationkitismeanttodemonstratethehighperformanceofallCREE1200VMOSFETsandCREESchottkydiodes(SBD)instandardTO-247package.ThekitincludestwoCree80mOhm,1200VCREEMOSFETsandtwo1200V20Aschottkydiodes;ahalfbridgeconfiguredevaluationboardthat	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120H	文件：485.82 Kbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120H	文件：679.24 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-RecRectifier	CreeCree, Inc 科锐	Cree
E4D20120A	文件：726.94 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeE-SeriesAutomotive	CreeCree, Inc 科锐	Cree
E4D20120A	文件：1.29729 Mbytes Page：9 Pages	E-SeriesAutomotive4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市盈慧通电子有限公司	ADE4D20120G-T1-PF	ANALOGPOWER	2511	TO-263	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市一线半导体有限公司	ADE-5	MINI	24+		50		询价
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