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ADC4D20120H	文件：233.28 Kbytes Page：5 Pages	1200-V Direct WBG Diode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADE4D20120D	文件：318.06 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADE4D20120G	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
C4D20120A	文件：662.99 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120A	文件：1.2441 Mbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：884.55 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2-KVoltSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLosses •HigherEfficienc	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：772.11 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120D	文件：482.43 Kbytes Page：2 Pages	CREESiliconCarbideMOSFETEvaluationKit Description: ThisEvaluationkitismeanttodemonstratethehighperformanceofallCREE1200VMOSFETsandCREESchottkydiodes(SBD)instandardTO-247package.ThekitincludestwoCree80mOhm,1200VCREEMOSFETsandtwo1200V20Aschottkydiodes;ahalfbridgeconfiguredevaluationboardthat	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120H	文件：485.82 Kbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区亿兴成电子商行	ADC4E	ADI/亚德诺		MSOP10	6698		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ADC4G	ADI/亚德诺	23+	msop	13714	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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