AD630ADZ资料使用说明书原装现货AD第8页-114ic电子网

首页 >AD630ADZ>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
BW630RAGU	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
C630	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C630	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CEB630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEBF630	文件：383.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEBF630	文件：506.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEBF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED630N	文件：398.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED630N	文件：1.73292 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CED630N	文件：611.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEDF630	文件：502.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEF630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEF630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEFF630	文件：383.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEFF630	文件：490.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEFF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEIF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

<<<3 4 5 6 789 >>>

产品属性

产品编号：
AD630ADZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块
包装：
带
功能：
调制器/解调器
频率：
0Hz ~ 2MHz
射频类型：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
20-CDIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
20-CDIP
描述：
IC MOD/DEMOD BAL 2MHZ 20-CDIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	AD630ADZ	ADI/亚德诺			97200	自己库存,有更多量	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	AD630ADZ	Analog Devices	24+	DIP	33680	ADI优势主营型号-原装正品	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	AD630ADZ	ADI	17+	DIP	3000	ADI代理分销推广提供一站式服务	询价
深圳市深创辉科技有限公司	AD630ADZ	ADI(亚德诺)	24+		10000	真实原装现货库存，联系徐小姐13714450367，QQ 2850151739	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	AD630ADZ	ADI	21+		9800	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	AD630ADZ	ADI(亚德诺)/LINEAR	2022+原装正品	CDIP-20SB	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市金嘉锐电子有限公司	AD630ADZ	AD	2024+	20-CDIP	32560	原装优势绝对有货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	AD630ADZ	ADI(亚德诺)	23+	DIP20	920	只做原装,提供一站式配单服务,代工代料。BOM配单	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	AD630ADZ	AD	2022	DIP	6800	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	AD630ADZ	AD	2017+	DIP	7558	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价

更多AD630ADZ供应商更新时间2024-5-25 17:06:00

产品属性

相关规格书

相关库存