首页>CEBF630B>规格书详情

CEBF630B中文资料华瑞数据手册PDF规格书

PDF无图
厂商型号

CEBF630B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

86.39 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CET

中文名称

华瑞

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2026-2-9 20:00:00

人工找货

CEBF630B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

CEBF630B规格书详情

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole.

Lead free product is acquired.

产品属性

  • 型号:

    CEBF630B

  • 功能描述:

    200V N Channel MOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
2026+
TO-263
230
原装正品,假一罚十!
询价
CET/華瑞
22+
SOT263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
SR
21+
TO263
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
CET
24+
5000
询价
VBSEMI
20+
T0-263
10105
询价
SR
23+
T0-263
6000
原装正品,假一罚十
询价
CET
23+
TO-263
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
ADI
23+
N/A
7000
询价
C
22+
TO-263
6000
十年配单,只做原装
询价
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
询价