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ACPDZC3V3HT-HF	文件：602.23 Kbytes Page：5 Pages	Marking：E3T；Package：DFN0603；SMD ESD Protection Diode Features -UltrasmallSMDpackage:0201 -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent. -AEC-Q101Qualified.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
ACPDZC3V3HT-HF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：AUTOMOTIVE DIODE ESD 3.3VWM 5.5V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BZT3V3	文件：162.33 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZT-RLZ3V3A	文件：300.07 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZT-RLZ3V3B	文件：300.07 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZX3V3	文件：105.01 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARTYPE [DAIWA] Features: Verysharpreversecharacteristic Lowreversecurrentlevel Veryhighstability Lownoise Availablewithtightertolerances	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BZX3V3	文件：1.64382 Mbytes Page：3 Pages	1.3WEPITAXIALZENERDIODE FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
C3V3	文件：36.5 Kbytes Page：3 Pages	SOT23SILICONPLANARVOLTAGEREGULATORDIODES	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
C3V3PH	文件：73.39 Kbytes Page：3 Pages	500mWZenerDiode Features ◇Fastswitchingspeed ◇Generalpurposerectification ◇Siliconepitaxialplanarconstruction	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
CESD3V3AP	文件：593.96 Kbytes Page：6 Pages	Uni-directionESDProtectionDiode	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

产品属性

产品编号：
ACPDZC3V3HT-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
3.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
7V（标准）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
17A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
119W
电源线路保护：
无
应用：
汽车级
不同频率时电容：
38pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
0201/DFN0603
描述：
AUTOMOTIVE DIODE ESD 3.3VWM 5.5V

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