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NP100N04PUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04PUH	文件：344.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N04PUK	文件：345.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N04PUK	文件：231.81 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP100N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=4700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04PUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04PUK	文件：823.71 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description NP100N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mMAX.(VGS=10V,ID=50A) ･LowCissCiss=4700pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PJD100N04	文件：839.24 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD100N04-AU	文件：746.07 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
VNH100N04	文件：91.84 Kbytes Page：7 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET ■LINEARCURRENTLIMITATION ■THERMALSHUTDOWN ■SHORTCIRCUITPROTECTION ■INTEGRATEDCLAMP ■LOWCURRENTDRAWNFROMINPUTPIN ■DIAGNOSTICFEEDBACKTHROUGHINPUTPIN ■ESDPROTECTION ■DIRECTACCESSTOTHEGATEOFTHEPOWERMOSFET(ANALOGDRIVING) ■COMPATIBLEWITHSTAND	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNW100N04	文件：135.45 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

AEC-Q：
Yes
Type：
N-CH
VDS(V)：
DS(V)\>40
VGS(V)：
GS(V)\>20
ID(A)：
D(A)\>100
RDS(ON)(mΩ)@VGS=4.5V：
DS(ON)(mΩ)@VGS=4.5V\>5.4
封裝型式：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ACMS100N04D-HF供应商更新时间2025-7-28 11:06:00

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