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ACMS100N04D-HF	文件：645.37 Kbytes Page：7 Pages	丝印：050N04D；Package：TO-252；MOSFET Features - Super low gate charge. - AEC-Q101 Qualified. - Advanced high cell density technology. - Excellent Cdv/ dt effect decline. - 100% EAS guaranteed. 文件：645.37 Kbytes 页数：7 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
ACMS100N04D-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Comchip 典琦	Comchip
CMP100N04	文件：1.64466 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.64466 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CMP100N04	文件：970.84 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：970.84 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
G100N04T	文件：1.78646 Mbytes Page：6 Pages	PWM applications Description The G100N04T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● PWM ● Load Switching 文件：1.78646 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

AEC-Q：
Yes
Type：
N-CH
VDS(V)：
DS(V)\>40
VGS(V)：
GS(V)\>20
ID(A)：
D(A)\>100
RDS(ON)(mΩ)@VGS=4.5V：
DS(ON)(mΩ)@VGS=4.5V\>5.4
封裝型式：
TO-252

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更多ACMS100N04D-HF供应商更新时间2025-12-1 11:06:00

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