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AO4468	文件：358.51 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features VDS(V)=30V ID=10.5A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4468	文件：2.26868 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Application «ReverseBatteryprotection »Loadswitch oPowermanagement PWMApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4468-HF	文件：1.73103 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4468L	文件：147.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4468combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS30V I	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4468L	文件：255.8 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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DMG4468LFG	文件：155.33 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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