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AO4468	文件：147.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4468combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS30V I	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4468	文件：2.1917 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4468combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4468	文件：1.33332 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4468	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4468	文件：358.51 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4468；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features VDS(V)=30V ID=10.5A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4468	文件：2.26868 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Application «ReverseBatteryprotection »Loadswitch oPowermanagement PWMApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4468	文件：255.8 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4468	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 30-V(D-S) MOSFET;	TechpublicTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	Techpublic
AO4468	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET;	XWXWSEMI (Shenzhen) Co., Ltd 芯微半导体芯微半导体（深圳）有限公司	XW
AO4468	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET;	MTW 美台微	MTW

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
17
4.5V：
23
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
10.50
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
7.50
Qg (10V)(nC)：
15
VGS(th) max (V)：
2.40
Ciss (pF)：
740
Coss (pF)：
110
Crss (pF)：
82
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
5
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
18
Qrr (nC)：
9
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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