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ACE3401	文件：185.81 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The ACE3401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage ap 文件：185.81 Kbytes 页数：8 Pages	ACE	ACE
ACE3401	文件：603.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：603.13 Kbytes 页数：7 Pages	ACE	ACE
ACE3401	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ACE ele	ACE ele
ACE3401A	文件：922.37 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description The ACE3401A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product ACE3401A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificatio 文件：922.37 Kbytes 页数：6 Pages	ACE	ACE
ACE3401B	文件：567.65 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description The ACE3401B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications. Features ● VDS(V)=-30V, ID=-4A ● RDS(ON) 文件：567.65 Kbytes 页数：6 Pages	ACE	ACE
ACE3401BM+H	文件：185.81 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The ACE3401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage ap 文件：185.81 Kbytes 页数：8 Pages	ACE	ACE
ACE3401D	文件：564.55 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description This device is particularly suited for low voltage application such as portable equipment, power management and other battery powered circuits, and low in-line power dissipation are needed in a very small outline surface mount package Excellent thermal and electrical capabilities. Fe 文件：564.55 Kbytes 页数：6 Pages	ACE	ACE
ACE3401_12	文件：603.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：603.13 Kbytes 页数：7 Pages	ACE	ACE
ACE3401BM+H	文件：603.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：603.13 Kbytes 页数：7 Pages	ACE	ACE
ACE3401BB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ACE ele	ACE ele

技术参数

VDSS V：
-30
VGS V：
±12
VTH Min V：
-0.5
VTH Max V：
-1.5
IDS 25℃ A：
-4
RDS (Max) 10V mΩ：
63
RDS (Max) 4.5V mΩ：
75
RDS (Max) 2.5V mΩ：
120
PD 25℃ W：
1.25
Package：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	ACE3401	ACE	24+	SOT23-3	33000	原装现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	ACE3401	NK/南科功率	2025+	SOT-23-3	986966	国产	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	ACE3401BM+H	ACE	20+	SOT23-3	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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更多ACE3401供应商更新时间2025-10-4 8:31:00

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