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A3T09S100N	文件：427.51 Kbytes Page：20 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor 文件：427.51 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
A3T09S100NR1	文件：427.51 Kbytes Page：20 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor 文件：427.51 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
A3T09S100N	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor	恩XP	恩XP

技术参数

Frequency(Min)(MHz)：
136
Frequency(Max)(MHz)：
941
Supply Voltage(Typ)(V)：
32
P1dB(Typ)(dBm)：
50
P1dB(Typ)(W)：
90
Output Power(Typ) (W)@Intermodulation Level at Test Signal：
90.0 @ CW
Test Signal：
CW
Power Gain(Typ) (dB) @f (MHz)：
22.8 @ 880
Efficiency(Typ)(%)：
33.8
Thermal Resistance(Spec)(℃/W)：
0.9
Matching：
unmatched
Class：
AB
Die Technology：
LDMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	A3T09S100NR1	恩XP			486	只做正品	询价
深圳市煦洪科技有限公司	A3T09S100NR1	恩XP	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	A3T18H360W23SR6	恩XP	2022+	ACP-1230S-4L2S	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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更多A3T09S100N供应商更新时间2026-4-9 10:10:00

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