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A3T09S100N中文资料100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

A3T09S100N

功能描述

100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:02:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :A3T09S100N

  • 生产厂家

    :恩XP

  • Frequency(Min)(MHz)

    :136

  • Frequency(Max)(MHz)

    :941

  • Supply Voltage(Typ)(V)

    :32

  • P1dB(Typ)(dBm)

    :50

  • P1dB(Typ)(W)

    :90

  • Output Power(Typ) (W)@Intermodulation Level at Test Signal

    :90.0 @ CW

  • Test Signal

    :CW

  • Power Gain(Typ) (dB) @f (MHz)

    :22.8 @ 880

  • Efficiency(Typ)(%)

    :33.8

  • Thermal Resistance(Spec)(℃/W)

    :0.9

  • Matching

    :unmatched

  • Class

    :AB

  • Die Technology

    :LDMOS

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