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1KSMB68A	文件：142.96 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10Y；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1KSMB7.5A	文件：142.96 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10B；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1KSMB75A	文件：142.96 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10Z；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1KSMB8.2A	文件：142.96 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10C；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1KSMB9.1A	文件：142.96 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10D；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1SS305	文件：215.21 Kbytes Page：6 Pages	Marking：A14；SILICON SWITCHING DIODE HIGHSPEEDSWITCHING SILICONEPITAXIALDIODE FEATURES •Lowcapacitance:Ct=4.0pFMAX. •Highspeedswitching:trr=3.0nsMAX. •Wideapplicationsincludingswitching,limitter,clipper.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SA1013	文件：190.16 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1013；Package：TO-92；TRANSISTOR (COLOR TV VERT. DEFELCTION OUTPUT APPLICATIONS) ColorTVVertticalDeflectionOutputApplications PowerSwitchingApplications •Highvoltage:VCEO=−160V •Largecontinuouscollectorcurrentcapability •Recommendedforverticaldeflectionoutput&soundoutput applicationsforline-operatedTV. •Complementaryto2SC2383.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1013	文件：165.79 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A1013；Package：TO-92；TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) ColorTVVertticalDeflectionOutputApplications PowerSwitchingApplications •Highvoltage:VCEO=−160V •Largecontinuouscollectorcurrentcapability •Recommendedforverticaldeflectionoutput&soundoutput applicationsforline-operatedTV. •Complementaryto2SC2383.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1013	文件：165.79 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A1013；Package：TO-92；Color TV Verttical Deflection Output Applications Power Switching Applications ColorTVVertticalDeflectionOutputApplications PowerSwitchingApplications •Highvoltage:VCEO=−160V •Largecontinuouscollectorcurrentcapability •Recommendedforverticaldeflectionoutput&soundoutput applicationsforline-operatedTV. •Complementaryto2SC2383.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1013	文件：1.09971 Mbytes Page：4 Pages	Marking：A1013；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES HighBVCEO HighDCcurrentgain Largecontinuouscollectorcurrentcapability Epitaxialplanardieconstruction	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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晶体管资料

型号：
A10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
FMA10A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
A1
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
A1
包装：
带
频率：
1MHz ~ 600MHz
P1dB：
-1dBm
增益：
16dB
噪声系数：
2.4dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
9mA
测试频率：
1MHz ~ 600MHz
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
供应商器件封装：
TO-8
描述：
AMPLIFIER,CASCADABLE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多A1供应商更新时间2025-5-17 8:30:00

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