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10BJ190A	文件：1.58341 Mbytes Page：7 Pages	Marking：A190；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppressors (TVS) Data Sheet Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowprofilepackage Builtinstrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability 1000Wpeakpulsepowercapabilityat10/1000μswaveform, r epetitionrate(dutycycle):0.01	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
10SMBJ100A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A100；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ10A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A10；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ110A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A110；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ11A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A11；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ120A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A120；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ12A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A12；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ130A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A130；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ13A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A13；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
10SMBJ14A	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A14；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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晶体管资料

型号：
A10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
FMA10A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
A1
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
A1
包装：
带
频率：
1MHz ~ 600MHz
P1dB：
-1dBm
增益：
16dB
噪声系数：
2.4dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
9mA
测试频率：
1MHz ~ 600MHz
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
供应商器件封装：
TO-8
描述：
AMPLIFIER,CASCADABLE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多A1供应商更新时间2025-5-16 17:17:00

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