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2SA1515S	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A1515S；Package：SPT/SC-72；Medium Power Transistor MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1515-TA	文件：1.42793 Mbytes Page：4 Pages	Marking：A1515；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features LowCollector-EmitterSaturationVoltage LowTransitionFrequency	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1585S	文件：101.55 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1585S；Package：SPT/SC-72；Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1625	文件：2.00574 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A1625；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features HighVoltage HighSpeedSwitching LowCollectorSaturationVoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1625-TA	文件：2.00574 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A1625；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features HighVoltage HighSpeedSwitching LowCollectorSaturationVoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1727	文件：250.04 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A1727；Package：SOT-428；High-voltage Switching Transistor (-400V, -0.5A) High-voltageSwitchingTransistor(Telephonepowersupply)(-400V,-0.5A) Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-400V. 2)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.3VatIC/IB=-100mA/-10mA. 3)Highswitchingspeed,typicallytf:1μsatIC=-100mA. 4)WideSOA(safeoperati	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1776	文件：250.04 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A1776；Package：ATV；High-voltage Switching Transistor (-400V, -0.5A) High-voltageSwitchingTransistor(Telephonepowersupply)(-400V,-0.5A) Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-400V. 2)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.3VatIC/IB=-100mA/-10mA. 3)Highswitchingspeed,typicallytf:1μsatIC=-100mA. 4)WideSOA(safeoperati	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1862	文件：93.05 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1862；Package：SOT-428；High-voltage Switching Transistor (-400V, -2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1862	文件：46.24 Kbytes Page：1 Pages	Marking：A1862；Package：SOT-428；High-Voltage Switching Transistor (Telephone, Power Supply) (-600V, -1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1962OTU	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	Marking：A1962O；Package：TO-3P；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
A10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
FMA10A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
A1
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
A1
包装：
带
频率：
1MHz ~ 600MHz
P1dB：
-1dBm
增益：
16dB
噪声系数：
2.4dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
9mA
测试频率：
1MHz ~ 600MHz
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
供应商器件封装：
TO-8
描述：
AMPLIFIER,CASCADABLE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多A1供应商更新时间2025-5-25 8:31:00

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