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90N30	文件：421.38 Kbytes Page：7 Pages	型号：RM90N30LD；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=30V,ID=90A RDS(ON)=4.1mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=5.9mΩ(typical)@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation Sp	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
90N30	文件：446.88 Kbytes Page：7 Pages	型号：RM90N30LDV；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=30V,ID=90A RDS(ON)=4.1mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=5.9mΩ(typical)@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation Sp	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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型号：RM90N30LD；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralFeatures VDS=30V,ID=90A RDS(ON)=4.1mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=5.9mΩ(typical)@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation Sp

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型号：RM90N30LDV；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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更多90N30供应商更新时间2025-7-29 11:06:00

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