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BF901	文件：46.98 Kbytes Page：7 Pages	Siliconn-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorsinplasticmicrominiatureSOT143andSOT143Renvelopes,withsourceandsubstrateinterconnected.TheyareintendedforUHFandVHFapplications,suchastelevisiontunersandprofessionalcommunicationsequipmentespeciallysuitedforlowvol	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF901R	文件：46.98 Kbytes Page：7 Pages	Siliconn-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorsinplasticmicrominiatureSOT143andSOT143Renvelopes,withsourceandsubstrateinterconnected.TheyareintendedforUHFandVHFapplications,suchastelevisiontunersandprofessionalcommunicationsequipmentespeciallysuitedforlowvol	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLC901	文件：408.37 Kbytes Page：1 Pages	Inter=SBC901	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BTM901X	文件：383.56 Kbytes Page：7 Pages	MOTIX™integratedfull-bridgeICBTM9010/BTM9011 Features •Pathresistanceoftyp.175mΩat25°C •Pulsecurrent: -5.2Afortpulse≤1sat85°C -4.2Afortpulse≤10sat85°C •Supplyvoltagerangefrom7Vto18V •Extendedsupplyvoltagerangefrom4.5Vto40V •Currentlimitationofmin.10A •Slewrateselection •Protec	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ901	文件：43.03 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET POWERMOSFETSFORAUDIOAPPLICATIONS FEATURES •HIGHSPEEDSWITCHING •N–CHANNELPOWERMOSFET •SEMEFABDESIGNEDANDDIFFUSED •HIGHVOLTAGE(160V&200V) •HIGHENERGYRATING •ENHANCEMENTMODE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •P–CHANNELALSOAVAILABLEASBUZ905&	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BUZ901	文件：184.95 Kbytes Page：4 Pages	N-channelpowermosfet	ELEFLOW eleflow technologies co., ltd.	ELEFLOW
BUZ901	文件：82.31 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BUZ901D	文件：277.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ901DP	文件：45.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET POWERMOSFETSFORAUDIOAPPLICATIONS FEATURES •HIGHSPEEDSWITCHING •N–CHANNELPOWERMOSFET •SEMEFABDESIGNEDANDDIFFUSED •HIGHVOLTAGE(160V&200V) •HIGHENERGYRATING •ENHANCEMENTMODE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •P–CHANNELALSOAVAILABLEASBUZ905DP&am	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BUZ901P	文件：322.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
901T
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER TRANSISTOR

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更多901T供应商更新时间2025-7-16 10:12:00

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