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GSMBT9014

NPNEPITAXIALTRANSISTOR

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GSMBT9014

NPNEPITAXIALTRANSISTOR

ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

H9014

NPNSILICONTRANSISTOR

PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司

HCS9014

GENERALPURPOSETRANSISTOR

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HE9014

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHE9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features •HighTotalPowerDissipation(PD:450mW) •ComplementarytoHE9015 •HighhFEandGoodLinearity

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

华昕华昕科技有限公司

HMBT9014

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHMBT9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features •HighTotalPowerDissipation(PD:225mW) •ComplementarytoHMBT9015 •HighhFEandGoodLinearity

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

华昕华昕科技有限公司

HN9014

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications?????????

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications

SEMTECHSemtech Corporation

升特

IRFD9014

PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-1.1A)

IRF

International Rectifier

IRFD9014

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFD9014

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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Abbatron/HHSmith
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更多9014T供应商 更新时间2025-7-14 10:19:00