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8N06G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet	PINGWEI 平伟	PINGWEI
AP8N06MI	文件：783.3 Kbytes Page：7 Pages	丝印：8N06M；Package：SOT23-3L；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 60V ID =8A - RDS(ON) 文件：783.3 Kbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
MTD8N06E	文件：185.62 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery t 文件：185.62 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTP8N06	文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTP8N06E	文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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更多8N06供应商更新时间2026-4-18 15:01:00