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MTD8N06E	文件：185.62 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP8N06	文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP8N06	文件：1.08726 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP8N06E	文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
PHT8N06	文件：72.26 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technolgythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT8N06LT	文件：64.11 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersandgenera	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT8N06LT	文件：171.36 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOSÔtransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogic levelfield-effectpowertransistorina plasticenvelopesuitableforsurface mounting.Thedevicefeaturesvery lowon-stateresistanceandhas integralzenerdiodesgivingESD protection.Itisintendedforusein DC-DCconvertersand	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHT8N06T	文件：72.26 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technolgythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
STD8N06	文件：171.58 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.21Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTED CHARACTERIZATION ■TH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多8N06G供应商更新时间2024-6-6 15:00:00

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