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NP82N06CLC	文件：236.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=9.0mW(MAX.)(VGS=10V,ID=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06CLD	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=8.5mW(MAX.)(VGS=10V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06DLC	文件：236.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=9.0mW(MAX.)(VGS=10V,ID=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06DLD	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=8.5mW(MAX.)(VGS=10V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06ELC	文件：236.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=9.0mW(MAX.)(VGS=10V,ID=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06ELD	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=8.5mW(MAX.)(VGS=10V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06MLG	文件：326.03 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N06MLGandNP82N06NLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=9.7	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06MLG	文件：995.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP82N06NLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06NLG	文件：326.03 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N06MLGandNP82N06NLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=9.7	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06PDG	文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06PLG	文件：203.32 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP82N06PLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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