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NP82N06NLG中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP82N06NLG
厂商型号

NP82N06NLG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

326.03 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 10:50:00

NP82N06NLG规格书详情

DESCRIPTION

The NP82N06MLG and NP82N06NLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Built-in gate protection diode

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 41 A)

• High current rating

ID(DC) = ±82 A

• Low input capacitance

Ciss = 5700 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP82N06NLG

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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