首页>NP82N055NLE-S18-AY>规格书详情

NP82N055NLE-S18-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP82N055NLE-S18-AY
厂商型号

NP82N055NLE-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

226.05 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-9-24 10:09:00

NP82N055NLE-S18-AY规格书详情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A)

RDS(on)3 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    NP82N055NLE-S18-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO263
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-262
10000
公司只做原装正品
询价
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
NEC
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
NEC
08+(pbfree)
TO-263
8866
询价
R
23+
TO-263
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
NEC
6000
面议
19
TO-263
询价
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-262
89630
当天发货全新原装现货
询价
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
TO262
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价