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NP82N055NLE中文资料PDF规格书

NP82N055NLE
厂商型号

NP82N055NLE

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

226.05 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 23:00:00

NP82N055NLE规格书详情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A)

RDS(on)3 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    NP82N055NLE

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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