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NP82N06CLD中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP82N06CLD
厂商型号

NP82N06CLD

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

172.01 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 8:14:00

NP82N06CLD规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

· Channel Temperature 175 degree rated

· Super Low On-state Resistance

RDS(on)1 = 8.5 mW (MAX.) (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 10 mW (MAX.) (VGS = 5 V, ID = 41 A)

· Low Ciss : Ciss = 4830 pF (TYP.)

· Built-in Gate protection diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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