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NP82N06CLC	文件：236.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=9.0mW(MAX.)(VGS=10V,ID=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06CLD	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=8.5mW(MAX.)(VGS=10V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06DLC	文件：236.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=9.0mW(MAX.)(VGS=10V,ID=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06DLD	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=8.5mW(MAX.)(VGS=10V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06ELC	文件：236.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=9.0mW(MAX.)(VGS=10V,ID=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06ELD	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=8.5mW(MAX.)(VGS=10V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06MLG	文件：326.03 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N06MLGandNP82N06NLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=9.7	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06MLG	文件：995.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP82N06NLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06NLG	文件：326.03 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N06MLGandNP82N06NLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=9.7	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06PLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N06PLG	文件：203.32 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

详细参数

型号：
NP82N06PDG
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP82N06PDG	NEC	08+(pbfree)	TO-263	8866		询价
深圳市近平电子有限公司	NP82N06PDG	NEC	6000	面议	19	TO-263	询价
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