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7N04N009	文件：748.41 Kbytes Page：12 Pages	型号：IAUCN04S7N009；Package：PG-TDSON-8-34；OptiMOS™ 7 Power-Transistor Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100Avalanchet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
7N04N009	文件：3.35993 Mbytes Page：12 Pages	型号：IAUMN04S7N009G；Package：PG-HSOG-4-1；OptiMOSTM 7 Power-Transistor Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel-Enhancementmode-NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL2upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avala	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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型号：IAUCN04S7N009；Package：PG-TDSON-8-34；OptiMOS™ 7 Power-Transistor

Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100Avalanchet

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

7N04N009

文件：3.35993 Mbytes

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型号：IAUMN04S7N009G；Package：PG-HSOG-4-1；OptiMOSTM 7 Power-Transistor

Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel-Enhancementmode-NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL2upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avala

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多7N04N009供应商更新时间2025-7-29 17:12:00

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