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74VHC03	文件：54.51 Kbytes Page：7 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHC03 is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUN 文件：54.51 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03	文件：232.88 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：232.88 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03	文件：300 bytes Page：1 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE	ST 意法半导体	ST
74VHC03FT	文件：149.95 Kbytes Page：7 Pages	丝印：VHC03；Package：TSSOP14B；CMOS Digital Integrated Circuits Silicon Monolithic Functional Description • Quad 2-Input NAND Gate (Open Drain) General The 74VHC03FT is an advanced high speed CMOS 2-INPUT NAND GATE fabricated with silicon gate C2MOS technology. It achieves the high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining the CMOS low 文件：149.95 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
74VHC03M	文件：54.51 Kbytes Page：7 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHC03 is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUN 文件：54.51 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03T	文件：54.51 Kbytes Page：7 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHC03 is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUN 文件：54.51 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03_04	文件：232.88 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：232.88 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03MTR	文件：232.88 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：232.88 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03TTR	文件：232.88 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：232.88 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHC03M	文件：300 bytes Page：1 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE	ST 意法半导体	ST

技术参数

Life-cycle：
新产品
Group：
VHC
Function1：
Gate
Function2：
2-Input/NAND
Number of Circuits：
4
Number of pins：
14
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
TSSOP14B
Input type：
Input-Tolerant
Output type：
Open-Drain
VCC (Min)(V)：
2
VCC (Max)(V)：
5.5
IO (Min)(mA)：
8
tpd_tpz (Typ.)(nsec)：
3.7
OperatingTemperature(℃)：
-40 to 125
AEC-Q100：
Qualified(*)

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