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74VHC03FT	文件：149.95 Kbytes Page：7 Pages	CMOS Digital Integrated Circuits Silicon Monolithic FunctionalDescription •Quad2-InputNANDGate(OpenDrain) General The74VHC03FTisanadvancedhighspeedCMOS2-INPUTNANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOS technology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOS low	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
74VHC03FT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE NAND OD 4CH 2-IN 14TSSOP	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
74VHC03	文件：54.51 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATE DESCRIPTION The74VHC03isanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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74VHC03M	文件：54.51 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATE DESCRIPTION The74VHC03isanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
74VHC03MTR	文件：232.88 Kbytes Page：11 Pages	QUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
74VHC03T	文件：54.51 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATE DESCRIPTION The74VHC03isanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
74VHC03TTR	文件：232.88 Kbytes Page：11 Pages	QUAD2-INPUTOPENDRAINNANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
TC74VHC03F	文件：276.19 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputNANDGate(opendrain)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
TC74VHC03F	文件：254.84 Kbytes Page：6 Pages	QUAD2-INPUTNANDGATE(OPERDRAIN)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
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产品属性

产品编号：
74VHC03FT
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
74VHC
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
逻辑类型：
与非门
输入数：
2
特性：
开路漏极
电压 - 供电：
2V ~ 5.5V
电流 - 输出高、低：
-，8mA
逻辑电平 - 低：
0.5V
逻辑电平 - 高：
1.5V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
7.5ns @ 5V，50pF
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
14-TSSOP
封装/外壳：
14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
描述：
IC GATE NAND OD 4CH 2-IN 14TSSOP

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