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71V65903S80PFG8	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80PFG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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71V65903S80PFG8

文件：311.56 Kbytes

Page：27 Pages

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71V65903S80PFG8

文件：100 bytes

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包装：卷带（TR）封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

产品编号：
71V65903S80PFG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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更多71V65903S80PFG8供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

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