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71V67603S133PFG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L 文件：302.92 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V67603S133PFG8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L 文件：302.92 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V67603S133PFGI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L 文件：302.92 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V67603S133PFGI8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: – 166MHz 3.5ns clock access time – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx) ◆ L 文件：302.92 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V67603S133PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
71V67603S133PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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