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71V124SA15YG	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V124SA15YG8	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V124SA15YGI	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V124SA15YGI8	文件：192.06 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible 文件：192.06 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V12410PHGI8	文件：68.86 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout 文件：68.86 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
71V12410TYGI8	文件：68.86 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout 文件：68.86 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
71V12410YGI8	文件：68.86 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout 文件：68.86 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
71V12412PHGI8	文件：68.86 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout 文件：68.86 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
71V12412TYGI8	文件：68.86 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout 文件：68.86 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT
71V12412YGI8	文件：68.86 Kbytes Page：8 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout 文件：68.86 Kbytes 页数：8 Pages	IDT	IDT

技术参数

Density (Kb)：
1024
Bus Width (bits)：
8
Core Voltage (V)：
3.3
Pkg. Type：
SOJ
Organization：
128K x 8
I/O Voltage (V)：
3.3
Access Time (ns)：
10
Temp. Range：
-40 to 85°C
Architecture：
Asynchronous

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	71V124	IDT	24+	SOJ	10		询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	71V124		2602+		25843	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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更多71V124供应商更新时间2026-10-25 16:30:00

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