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IRF7103	文件：169.18 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=50V,Rds(on)=0.130ohm,Id=3.0A) Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103IPBF	文件：263.4 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103PBF	文件：273.24 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheSO-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhancedthermalcharacteristicsanddual-diecapabilitymakingitidealinavarietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevicescanbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspace.The	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103PBF	文件：308.94 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103Q	文件：169.02 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=50V) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMO	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103QPBF	文件：263.47 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETHEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103QTRPBF	文件：259.93 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103TR	文件：420.2 Kbytes Page：9 Pages	DualN-ChannelMOSFET Features VDs(v=50V RDpsON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7103TRPBF	文件：309.95 Kbytes Page：10 Pages	adavancedprocesstechnology Description TheSO-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhancedthermalcharacteristicsanddual-diecapabilitymakingitidealinavarietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevicescanbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspace.The	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103TRPBF	文件：1.2215 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
7103MPYABE
制造商：
C\u0026K
类别：
开关 > 拨动开关
系列：
7000
包装：
托盘
安装类型：
面板安装，直角
电路：
SPDT
开关功能：
开-关-开
额定电流（安培）：
0.4VA（AC/DC）
致动器类型：
防转
致动器长度：
5.08mm
照明：
不发光
端接样式：
PC 引脚
面板开口尺寸：
圆形 - 6.35mm 直径
衬套螺纹：
1/4-40
特性：
环氧树脂密封端子
工作温度：
-30°C ~ 85°C
描述：
SWITCH TOGGLE SPDT 0.4VA 20V

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