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70V08L15PFG	文件：363.26 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V08L Active:550mW(typ.) Standby:1mW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpa	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V08L15PFG	文件：662.86 Kbytes Page：21 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V08L15PFG	文件：198.02 Kbytes Page：21 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V08L15PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V08L15PFG8	文件：363.26 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V08L Active:550mW(typ.) Standby:1mW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpa	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V08L15PFG8	文件：662.86 Kbytes Page：21 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V08L15PFGI	文件：662.86 Kbytes Page：21 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V08L15PFGI8	文件：662.86 Kbytes Page：21 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

产品属性

产品编号：
70V08L15PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
512Kb（64K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多70V08L15PFG供应商更新时间2025-5-7 14:26:00

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