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70V3579S5BCGI	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70V3579S5BCGI	文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V3579S5BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：256-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BCGI8	文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V3579S5BCGI8	文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V3579S5BC	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70V3579S5BF	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BFG	文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70V3579S5BFI	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V3579S5DRG	文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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产品属性

产品编号：
70V3579S5BCGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
1.125Mb（32K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

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更多70V3579S5BCGI供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

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