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70V7519S133BC	文件：510.64 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆256Kx36SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent4Kx36banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.) –Industri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V7519S133BC	文件：231.17 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V7519S133BC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：256-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA	ETC	ETC
70V7519S133BC8	文件：510.64 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆256Kx36SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent4Kx36banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.) –Industri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V7519S133BCI	文件：510.64 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆256Kx36SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent4Kx36banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.) –Industri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V7519S133BCI8	文件：510.64 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆256Kx36SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent4Kx36banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.) –Industri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V7519S133BCG	文件：756.11 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V7519S133BCG8	文件：756.11 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V7519S133BCGI	文件：756.11 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V7519S133BCGI8	文件：756.11 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

产品属性

产品编号：
70V7519S133BC
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
256-LBGA
供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

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