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70V261L25PFG	文件：264.03 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V261L25PFG	文件：338.47 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V261L25PFG	文件：190.58 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V261L25PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V261L25PFG8	文件：264.03 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V261L25PFGI	文件：264.03 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V261L25PFGI8	文件：264.03 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V261L25PFG8	文件：338.47 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70V261L25PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V261L25PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70V261L25PF	文件：153.8 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V261L25PFI	文件：153.8 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
70V261L25PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
256Kb（16K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

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