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70V3399S133BF	文件：544.14 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode – Due to limited pin count P 文件：544.14 Kbytes 页数：24 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V3399S133BF8	文件：544.14 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode – Due to limited pin count P 文件：544.14 Kbytes 页数：24 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V3399S133BFI	文件：544.14 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode – Due to limited pin count P 文件：544.14 Kbytes 页数：24 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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70V3399S133BFG	文件：236.25 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：236.25 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
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产品属性

产品编号：
70V3399S133BF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
2Mb（128K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA

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