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70V631S12BFGI	文件：511.46 Kbytes Page：25 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70V631S12BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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70V631S12BFGI8	文件：198.11 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V631S12BFI	文件：511.46 Kbytes Page：25 Pages	HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
70V631S12BFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA

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