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70V657S12DRI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-BFQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT70V657S12BC	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Description The IDT70V659/58/57 is a high-speed 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70V659/58/57 is designed to be used as a stand-alone 4/2/1Mbit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/ SLAVE Dual-Port RAM for 72-bit-or-more word system. Using the IDT MASTERSLAVE Dual-Por 文件：316.76 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
IDT70V657S12BCI	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Description The IDT70V659/58/57 is a high-speed 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70V659/58/57 is designed to be used as a stand-alone 4/2/1Mbit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/ SLAVE Dual-Port RAM for 72-bit-or-more word system. Using the IDT MASTERSLAVE Dual-Por 文件：316.76 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT
IDT70V657S12BF	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Description The IDT70V659/58/57 is a high-speed 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70V659/58/57 is designed to be used as a stand-alone 4/2/1Mbit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/ SLAVE Dual-Port RAM for 72-bit-or-more word system. Using the IDT MASTERSLAVE Dual-Por 文件：316.76 Kbytes 页数：24 Pages	IDT	IDT

产品属性

产品编号：
70V657S12DRI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
1.125Mb（32K x 36）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-BFQFP
供应商器件封装：
208-PQFP（28x28）
描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多70V657S12DRI供应商更新时间2025-12-22 15:01:00

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