NVMFD6H840NLT1G芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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NVMFD6H840NLT1G	文件：253.76 Kbytes Page：8 Pages	丝印：6H840L；Package：DFN8；Power MOSFET 80 V, 6.9 m, 74 A, Dual N?묬hannel Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD6H840NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free an 文件：253.76 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多6H840L供应商更新时间2025-9-14 10:22:00