Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

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适用于 IGBT 和 MOSFET 的三相桥式驱动器 IC 裸片

6EDM2003L06-F10 是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的 MOSFET 或 IGBT 等功率器件，最大阻断电压为 +600 V。基于所使用的 SOI 技术，该驱动器对瞬态电压具有出色的耐受性。该器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁 • 600 V 薄膜 SOI 技术\n• 集成自举功能\n• 互锁以防止击穿\n• 发生错误时关闭所有开关\n• OCP 后 65 µs 延迟清除故障;

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