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6ED2230S12T

1200 V、0.65 A 三相栅极驱动器,集成自举二极管和过流保护,采用 DSO-24 封装

EiceDRIVER ™ 1200 V 三相栅极驱动器,采用 DSO-24 引线封装,典型拉电流为 0.35 A,灌电流为 0.65 A。这款采用我们的 SOI 技术的高压、高速驱动器具有三个独立的高端和低端参考输出通道,并集成了过流保护等保护功能,具有快速准确的故障报告、直通保护和欠压锁定保护。 • 1200-V 薄膜 SOI 技术\n • 集成。超快速自举二极管\n • 可耐受负电压。瞬态电压。\n• 输出拉/灌电流 +0.35 A/-0.65 A\n • 过流保护\n • 集成死区保护\n • 直通保护\n • 集成输入滤波器\n • 独立欠压锁定\n • 多种故障功能\n • 匹配的道具。延迟所有通道。\n• 3.3,5、& 15 V 输入逻辑兼容。;

Infineon

英飞凌

6ED2230S12T

1200 V Three Phase Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode and OCP

文件:3.37502 Mbytes 页数:29 Pages

Infineon

英飞凌

6ED2230S12TXUMA1

门驱动器

Infineon

英飞凌

6ED2230S12TXUMA1

Package:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽),24 引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:1200V THREE PHASE DRIVER

Infineon

英飞凌

技术参数

  • VBS UVLO(On):

    10.4 V

  • VCC UVLO(Off):

    10.4 V

  • VCC UVLO(On):

    11.4 V

  • Turn Off Propagation Delay:

    650 ns

  • Turn On Propagation Delay:

    700 ns

  • Voltage Class:

    1200 V

  • Qualification:

    Industrial

  • Input Vcc:

    10 V to 20 V

  • Output Current(Source):

    0.35 A

  • Output Current(Sink):

    0.65 A

  • Channels:

    6

  • Configuration:

    Three Phase

  • Isolation Type:

    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

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更多6ED2230S12T供应商 更新时间2025-10-6 23:00:00