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64-0055PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH TO-220AB;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
4.2 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
120nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4520pF @ 50V
功率耗散（最大值）：
230W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔

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更多64-0055PBF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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