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60N06-14

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:276.03 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P60N06-14

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:979.18 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB60N06-14

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET

文件:985.94 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB60N06-14

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262)

文件:87.02 Kbytes 页数:6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

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更多60N06-14供应商 更新时间2025-12-22 14:07:00